适用于高达 48 V 电源转换的理想探头
250、500 MHz 和 1 GHz 带宽
80 V 动态范围
60 V 共模
最高的精度
0.5% 增益精度
精密增益校准
最佳低频平坦度 (0.1 dB)
最低噪声和最高抑制
超多类型的尖端
高性能焊接
浏览器
单针和接头
迷你和微型抓取器
插座连接
高温焊入
Y-banana 适配器
ProBus 有源探头接口
60 V 共模和 80 V 差分输入范围和 1 GHz 带宽，使这些探头成为低压 GaN 功率转换测量的理想选择。 60 V 共模非常适合处理充电期间电池的任何浮动和大容量/吸收电压，而80 V的差分输入范围则提供了足够的裕度来应对任何过冲现象。
最高的精度
DL-HCM 探头经过校准，可在直流时进行 0.5% 以内的高精度测量，并在从直流到0.1 MHz的频率范围内实现100 dB的平坦度。这确保了对脉宽调制信号的高精度顶部和底部电压水平测量。精密增益校准功能进一步提高了测量精度，改善了增益准确性并消除了测量配置中的小偏移漂移。
最低噪声和最高抑制
该探针的共模抑制比（CMRR）在非常高的频率下表现出色。这使其在测量GaN器件和系统中典型的非常快速的斜率（高dV/dt）PWM信号时提供最佳的测量性能。出色的CMRR结合低探针噪声和高偏移能力，使得该探针能够测量在高共模电压上浮动的非常小的控制信号。
各种类型的探头
60 V共模差分探针提供了高性能和灵活性的完美结合，适用于连接任何待测设备。可选的附件套件和高温焊入式探头可提供更多的连接选项。
带宽 | 1GHz（保证，无引线） |
输入阻抗 | 200 千欧 || 0.6 pF（输入之间），100 kΩ || 1 pF（任一输入接地） |
衰减 | 7.8x / 17.5x / 70x |
差分电压范围 | 80 V（DC + 峰值 AC）从 200 mV/div 到 20 V/div |
最大安全输入电压 | 对于手持使用： |
直流增益精度 | +/- 0.5%（保证） |
直流增益漂移 | ≤ 0.075%/°C，可通过精密增益校准进行校准 |
上升时间 | 350ps |
偏移范围 | ±60伏 |
共模电压范围 | ±60 V（直流 + 峰值交流） |
对地最大输入电压 | 80 V（DC + 峰值 AC），最大 60 V DC（输入接地） |
灵敏度 | 200 mV/div 至 1 V/div (7.8x) |
输出端接 | 50Ω |
频率响应平坦度 | 直流至 100MHz：0.1 dB |
接口 | ProBus |
电缆长度（输入引线到示波器连接） | 1.42 m 从探头插座到示波器连接 |
输入/输出耦合 | DC |
噪声和抑制 | |
CMRR（典型值） | 直流 - 10 kHz：80 分贝 |
噪声（探头） | 200 mV/div 至 1 V/div：4.3mVrms |
环境 | |
温度（工作） | 0°C至50℃， |
温度（非工作） | -40°C至70℃， |
湿度（工作） | 5% 至 90% RH（非冷凝）最高 30°C，在 45°C 时线性降低至 50% RH |
湿度（非工作） | 5% 至 95% RH（非冷凝），75°C 以上 40% RH，45°C 以上 50% RH |
海拔高度（运行） | 高达 3000 m（9842 英尺） |
行业认证 | |
CE | 符合 EN61010-031:2015、EN61326-1:2013 和 EN50581:2012 |
